Dom
>
produkty
>
Polikrystaliczny panel fotowoltaiczny
>
|
| Miejsce pochodzenia | Chiny |
| Nazwa handlowa | MITSCN |
| Orzecznictwo | ISO |
RS2-350_375MG (moduł 166-120 z podwójną szybą)
Nadaje się do elektrowni naziemnych i projektów rozproszonych
Zaawansowana technologia modułów zapewnia doskonałą wydajność modułów
·Wafel z domieszką galu ·Nieniszczące cięcie ·MBB półcięte
Doskonała wydajność wytwarzania energii
·Doskonała reakcja IAM i słabe światło ·Niskie temperatury znamionowe ·Liniowy spadek mocy o 0,45%.
Wysoka jakość modułów zapewnia wieloletnią niezawodność
· Ściśle dobrany materiał · Zaawansowana technologia · Wiodący standard
Ultrahydrofilowe techniki samooczyszczania powłok
| Charakterystyka elektryczna STCRS2-350MG-E3 | RS2-355MG-E3 | RS2-360MG-E3 | RS2-365MG-E3 | RS2-370MG-E3 | RS2-375MG-E3 |
| Maksymalna moc (Pmaks.)350 W | 355 W | 360 W | 365 W | 370 W | 375 W |
| Tolerancja mocy0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
| 19,21% |
19,49% | 19,76% | 20,04% | 20,31% | 20,59% |
| Maksymalny prąd mocy (Imp)10,58A | 10,64A | 10,70A | 10,76A | 10,82A | 10,89A |
| Maksymalne napięcie zasilania (Vmp)33,00 V | 33,30 V | 33,60 V | 33,90 V | 34,20 V | 34,40 V |
| Prąd zwarciowy (Isc)11.01A | 11.09A | 11.17A | 11.25A | 11.32A | 11.41A |
| Napięcie obwodu otwartego (Voc)40,50 V | 40,70 V | 40,90 V | 41,10 V | 41,30 V | 41,50 V |
| Wartości w standardowych warunkach testowych STC(AM1,5, natężenie promieniowania 1000W/m2, temperatura ogniwa 25°C) | |||||
| Charakterystyka elektryczna NOCTRS2-350MG-E3 | RS2-355MG-E3 | RS2-360MG-E3 | RS2-365MG-E3 | RS2-370MG-E3 | RS2-375MG-E3 |
| Maksymalna moc (Pmaks.)263 W | 267 W | 271 W | 275 W | 279W | 283 W |
| Maksymalny prąd mocy (Imp)8.48A | 8.54A | 8,60A | 8,65A | 8.71A | 8,77A |
| Maksymalne napięcie zasilania (Vmp)31,10 V | 31,30 V | 31,50 V | 31,80 V | 32,00 V | 32,20 V |
| Prąd zwarciowy (Isc)8,96A | 9.00A | 9.06A | 9.10A | 9.16A | 9.23A |
| Napięcie obwodu otwartego (Voc)37,70 V | 38,00 V | 38,30 V | 38,60 V | 38,90 V | 39,10 V |
Skontaktuj się z nami w dowolnym momencie
