RS6-555-575N tipe-N (modul monofacial 182-144)
Cocok untuk pembangkit listrik darat dan proyek terdistribusi
Teknologi modul canggih memberikan efisiensi modul yang unggul
· Wafer dengan Doping Gallium · Pemotongan yang tidak merusak · Pemotongan setengah MBB
Performa pembangkit listrik yang luar biasa
·IAM yang sangat baik dan Respons cahaya lemah ·Peringkat suhu rendah ·Penurunan daya linier 0,40%.
Kualitas modul yang tinggi memastikan keandalan jangka panjang
· Bahan pilihan yang ketat · Teknologi canggih · Standar terdepan
Teknik pelapisan self-cleaning ultra-hidrofilik
Karakteristik Listrik STC | RS6-555N-E3 | RS6-560N-E3 | RS6-565N-E3 | RS6-570N-E3 | RS6-575N-E3 |
Daya Maksimum (Pmax) | 555W | 560W | 565W | 570W | 575W |
Toleransi Daya | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
21,48% | 21,68% | 21,87% | 22,07% | 22,26% | |
Arus Daya Maksimum (Imp) | 13.16A | 13.21A | 13.27A | 13.32A | 13.38A |
Tegangan Daya Maksimum (Vmp) | 42.20V | 42.40V | 42.60V | 42.80V | 43.00V |
Arus Hubung Singkat (Isc) | 13.93A | 13.99A | 14.05A | 14.11A | 14.17A |
Tegangan Sirkuit Terbuka (Voc) | 50.40V | 50.60V | 50.80V | 51.00V | 51.20V |
Nilai pada Kondisi Uji Standar STC(AM1.5, Irradiansi 1000W/m2, Suhu Sel 25°C) | |||||
Karakteristik Listrik NOCT | RS6-555N-E3 | RS6-560N-E3 | RS6-565N-E3 | RS6-570N-E3 | RS6-575N-E3 |
Daya Maksimum (Pmax) | 421W | 424W | 428W | 432W | 436W |
Arus Daya Maksimum (Imp) | 10.61A | 10.65A | 10.70A | 10.74A | 10.79A |
Tegangan Daya Maksimum (Vmp) | 39.60V | 39.80V | 40.00V | 40.20V | 40.40V |
Arus Hubung Singkat (Isc) | 11.23A | 11.28A | 11.33A | 11.38A | 11.42A |
Tegangan Sirkuit Terbuka (Voc) | 48.20V | 48.40V | 48.60V | 48.70V | 48.90V |
Hubungi Kami Kapan Saja