Mô-đun năng lượng mặt trời loại 555W 560W N Mô-đun một mặt linh hoạt 570W

RS6-555-575N loại N (mô-đun một mặt 182-144)

Thích hợp cho các nhà máy điện mặt đất và các dự án phân tán

Công nghệ mô-đun tiên tiến mang lại hiệu quả mô-đun vượt trội
·Bánh wafer pha tạp gali ·Cắt không phá hủy ·Cắt nửa MBB

Hiệu suất phát điện tuyệt vời

·IAM xuất sắc và phản hồi ánh sáng yếu ·Đánh giá nhiệt độ thấp ·Suy giảm công suất tuyến tính 0,40%

Chất lượng mô-đun cao đảm bảo độ tin cậy lâu dài

·Chất liệu được tuyển chọn khắt khe ·Công nghệ tiên tiến ·Tiêu chuẩn hàng đầu

Kỹ thuật phủ tự làm sạch siêu ưa nước

Đặc tính điện STC	RS6-555N-E3	RS6-560N-E3	RS6-565N-E3	RS6-570N-E3	RS6-575N-E3
Công suất tối đa (Pmax)	555W	560W	565W	570W	575W
Dung sai điện	0~+5W	0~+5W	0~+5W	0~+5W	0~+5W
	21,48%	21,68%	21,87%	22,07%	22,26%
Dòng điện tối đa (Imp)	13.16A	13.21A	13,27A	13.32A	13,38A
Điện áp nguồn tối đa (Vmp)	42,20V	42,40V	42,60V	42,80V	43,00V
Dòng điện ngắn mạch (Isc)	13,93A	13,99A	14.05A	14.11A	14.17A
Điện áp mạch hở (Voc)	50,40V	50,60V	50,80V	51,00V	51,20V
Giá trị ở Điều kiện kiểm tra tiêu chuẩn STC(AM1.5, Chiếu xạ 1000W/m2, Nhiệt độ tế bào 25°C)
Đặc tính điện NOCT	RS6-555N-E3	RS6-560N-E3	RS6-565N-E3	RS6-570N-E3	RS6-575N-E3
Công suất tối đa (Pmax)	421W	424W	428W	432W	436W
Dòng điện tối đa (Imp)	10,61A	10,65A	10,70A	10,74A	10,79A
Điện áp nguồn tối đa (Vmp)	39,60V	39,80V	40,00V	40,20V	40,40V
Dòng điện ngắn mạch (Isc)	11.23A	11,28A	11.33A	11.38A	11.42A
Điện áp mạch hở (Voc)	48,20V	48,40V	48,60V	48,70V	48,90V