RS8-595_605MBG(modul bifacial 210-120 dengan kaca ganda)
Cocok untuk pembangkit listrik darat dan proyek terdistribusi
Teknologi modul canggih memberikan efisiensi modul yang unggul
· Wafer dengan Doping Gallium · Pemotongan yang tidak merusak · Pemotongan setengah MBB
Performa pembangkit listrik yang luar biasa
·IAM yang sangat baik dan Respons cahaya lemah ·Peringkat suhu rendah ·Penurunan daya linear 0,45%.
Kualitas modul yang tinggi memastikan keandalan jangka panjang
· Bahan pilihan yang ketat · Teknologi canggih · Standar terdepan
Karakteristik Listrik STC | RS9-650M-E1 | RS9-655M-E1 | RS9-660M-E1 | RS9-665M-E1 | RS9-670M-E1 |
Daya Maksimum (Pmax) | 650W | 655W | 660W | 665W | 670W |
Toleransi Daya | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
ciency | 20,92% | 21,09% | 21,25% | 21,41% | 21,57% |
Arus Daya Maksimum (lmp) | 17.39A | 17.43A | 17.47A | 17.51A | 17.55A |
Tegangan Daya Maksimum (Vmp) | 37.40V | 37.60V | 37.80V | 38.00V | 38.20V |
Arus Hubung Singkat (lsc) | 18.44A | 18.48A | 18.53A | 18.57A | 18.62A |
Tegangan Sirkuit Terbuka (Voc) | 45.30V | 45.5V | 45.70V | 45.90V | 46.10V |
Nilai pada Kondisi Uji Standar STC(AM1.5, Irradiansi 1000W/m, Suhu Sel 25°C) | |||||
Karakteristik Listrik NOCT | RS9-650M-E1 | RS9-655M-E1 | RS9-660M-E1 | RS9-665M-E1 | RS9-670M-E1 |
Daya Maksimum (Pmax) | 492W | 496W | 500W | 504W | 508W |
Arus Daya Maksimum (lmp) | 14.09A | 14.13A | 14.17A | 14.22A | 14.26A |
Tegangan Daya Maksimum (Vmp) | 34.90V | 35.10V | 35.30V | 35.40V | 35.60V |
Arus Hubung Singkat (lsc) | 14.86A | 14.89A | 14.93A | 14.96A | 15.01A |
Tegangan Sirkuit Terbuka (Voc) | 42.70V | 42.90V | 43.00V | 43.20V | 43.40V |
Hubungi Kami Kapan Saja