RS8-595_605MBG(módulo bifacial 210-120 com vidro duplo)
Adequado para usinas terrestres e projetos distribuídos
A tecnologia de módulo avançada oferece eficiência de módulo superior
·Wafer dopado com gálio·Corte não destrutivo ·Meio corte MBB
Excelente desempenho de geração de energia
·Excelente IAM e fraca resposta à luz ·Baixas classificações de temperatura ·0,45% linear Declínio de energia
A alta qualidade do módulo garante confiabilidade a longo prazo
· Material rigorosamente selecionado ·Tecnologia avançada ·Padrão líder
Características Elétricas STC | RS9-650M-E1 | RS9-655M-E1 | RS9-660M-E1 | RS9-665M-E1 | RS9-670M-E1 |
Potência Máxima (Pmax) | 650W | 655 W | 660W | 665 W | 670W |
Tolerância de energia | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
ciência |
20,92% | 21,09% | 21,25% | 21,41% | 21,57% |
Corrente de Potência Máxima (lmp) | 17.39A | 17.43A | 17h47A | 17.51A | 17h55 |
Tensão Máxima de Potência (Vmp) | 37,40V | 37,60V | 37,80V | 38,00 V | 38,20V |
Corrente de Curto Circuito (lsc) | 18.44A | 18h48A | 18.53A | 18h57A | 18.62A |
Tensão de Circuito Aberto (Voc) | 45,30V | 45,5V | 45,70V | 45,90V | 46,10 V |
Valores em condições de teste padrão STC(AM1.5, Irradiância 1000W/m, Temperatura da Célula 25°C) | |||||
Características Elétricas NOCT | RS9-650M-E1 | RS9-655M-E1 | RS9-660M-E1 | RS9-665M-E1 | RS9-670M-E1 |
Potência Máxima (Pmax) | 492 W | 496 W | 500W | 504 W | 508W |
Corrente de Potência Máxima (lmp) | 14.09A | 14.13A | 14.17A | 14.22A | 14.26A |
Tensão Máxima de Potência (Vmp) | 34,90V | 35,10 V | 35,30V | 35,40V | 35,60V |
Corrente de Curto Circuito (lsc) | 14.86A | 14.89A | 14.93A | 14.96A | 15.01A |
Tensão de Circuito Aberto (Voc) | 42,70V | 42,90V | 43,00 V | 43,20V | 43,40V |
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