مسكن
>
المنتجات
>
وحدة HJT الكهروضوئية
>
|
| مكان المنشأ | الصين |
| اسم العلامة التجارية | Mitscn |
| إصدار الشهادات | ISO |
تقنية اتش جي تي 2.0
الجمع بين عملية التحصيل وتقنية uc-Si أحادية الجانب لضمان كفاءة أعلى للخلية وقوة أعلى للوحدة.
0.26%/ درجة مئوية معامل درجة الحرارة القصوى
أداء أكثر استقرارًا لتوليد الطاقة وحتى أفضل في المناخ الحار.
تصميم SMBB مع تقنية Half-Cut
مسافة نقل تيار أقصر، وفقدان أقل للمقاومة وكفاءة أعلى للخلية.
تصل إلى 90% ثنائية الوجه
هيكل ثنائي الجانب متماثل طبيعي يجلب المزيد من الطاقة من الجانب الخلفي.
الختم باستخدام مادة مانعة للتسرب تعتمد على PIB
مقاومة أقوى للماء، ونفاذية هواء أكبر لعمر الوحدة.
موثوقية أعلى
ضمان الأداء والأداء الرائد في الصناعة، مما يضمن الأداء المتميز المتسق للوحدات.
مناسبة لمشروع المرافق
انخفاض تكلفة BOS، وانخفاض LCOE
| الخصائص الميكانيكية | |
| نوع من الخلايا | HJT مونو 210*105 مللي متر |
| اتصال الخلية | 120 (6*20) |
| إطار | سبائك الألومنيوم بأكسيد |
| مربع تقاطع | IP68 |
| وزن | 35.3 كجم |
| أبعاد | 2172*1303*35 مللي متر |
| كابل الإخراج | 4mm2 (الاتحاد الأوروبي)، 300 مم في الطول، يمكن تخصيص الطول |
| جمع معلومات | |
| حاوية | 40'HC |
| المنصات لكل حاوية | 18 |
| قطعة لكل حاوية | 558 |
القيم في ظروف الاختبار القياسية STC (AM1.5، الإشعاع 1000 وات/م²، درجة حرارة الخلية 25 درجة مئوية)
| الخصائص الكهربائية شركة الاتصالات السعودية | DS625 | DS630 | DS635 | DS640 | DS645 |
| الطاقة القصوى (بماكس) | 625 واط | 630 واط | 635 واط | 640 واط | 645 واط |
| التسامح السلطة | 0~+5 وات | 0~+5 وات | 0~+5 وات | 0~+5 وات | 0~+5 وات |
| كفاءة الوحدة | 22.08% | 22.26٪ | 22.44٪ | 22.61% | 22.79% |
| التشغيل الأمثلالحالي (عفريت) | 16.51 أ | 16.57 أ | 16.63 أ | 16.69 أ | 16.75 أ |
| جهد التشغيل الأمثل (Vmp) | 37.86 فولت | 38.03 فولت | 38.19 فولت | 38.35 فولت | 38.51 فولت |
| تيار الدائرة القصيرة (Isc) | 17.31 أ | 17.37 أ | 17.43 أ | 17.49 أ | 17.55 أ |
| جهد الدائرة المفتوحة (Voc) | 45.13 فولت | 45.30 فولت | 45.48 فولت | 45.65 فولت | 45.82 فولت |
اتصل بنا في اي وقت
