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| 起源の場所 | 中国 |
| ブランド名 | Mitscn |
| 証明 | ISO |
HJT 2.0の技術
getteringプロセスおよび単一側uc Siの技術のより高い細胞の効率およびより高いモジュール力を保障するために結合。
0.26%/の°CのPmaxの温度係数
より安定した発電の性能はinhotの気候をよくし。
半カットの技術のSMBBの設計
より短い現在の伝送距離、より少なく抵抗損失のandhigherの細胞の効率。
90%までBifaciality
裏側からのより多くのenergyyieldを持って来るNatrualの対称のbifacial構造。
PIBとの密封は密封剤を基づかせていた
より強い防水、extentmoduleの寿命へのより大きい空気不浸透性。
より高い信頼性
産業一流プロダクトおよび性能保証、ensuringmodulesの一貫した顕著な性能。
実用的なプロジェクトのために適した
より低いウシの費用、より低いLCOE
| 機械特徴 | |
| 細胞のタイプ | HJTモノラル210*105mm |
| 細胞の関係 | 120 （6*20） |
| フレーム | 陽極酸化されたアルミ合金 |
| ジャンクション・ボックス | IP68 |
| 重量 | 35.3kg |
| 次元 | 2172*1303*35mm |
| 出力ケーブル | 4mm2 （EU）、300mmは長さに、長さカスタマイズすることができる |
| パッキング情報 | |
| 容器 | 40' HC |
| 容器ごとのパレット | 18 |
| 容器ごとの部分 | 558 |
標準テスト条件STC （AM1.5の放射照度1000W/mの²、細胞Temperature25°C）の価値
| 電気特徴STC | DS625 | DS630 | DS635 | DS640 | DS645 |
| 最高力（Pmax） | 625W | 630W | 635W | 640W | 645W |
| 力の許容 | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W | 0~+5W |
| モジュールの効率 | 22.08% | 22.26% | 22.44% | 22.61% | 22.79% |
| 最適動作電流（小鬼） | 16.51A | 16.57A | 16.63A | 16.69A | 16.75A |
| 最適作動の電圧（Vmp） | 37.86V | 38.03V | 38.19V | 38.35V | 38.51V |
| 短絡の流れ（Isc） | 17.31A | 17.37A | 17.43A | 17.49A | 17.55A |
| 開路の電圧（Voc） | 45.13V | 45.30V | 45.48V | 45.65V | 45.82V |
